这家华为小米比亚迪禾赛速腾聚创入股的传感器芯片公司，再获数亿元融资
昨日（6与23日），永鑫方舟资本官宣，行业领先的光芯片公司常州纵慧芯光半导体科技有限公司 (下文简称“纵慧芯光”)完成数亿元人民币融资，本轮由广东东阳光科技控股股份有限公司领投，老股东永鑫方舟、耀途资本跟投。本轮融资所募资金将用于企业FAB产线建设、新产品研发、光通信市场开拓等，夯实并不断提升纵慧芯光在全球光芯片领域的综合竞争实力。 纵慧芯光是国内少数从事垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片研发、生产的企业，VCSEL芯片是激光雷达及多种3D感知传感器的核心关键零部件，此前，为了保障自身激光雷达产品供应链，华为、小米、大疆、比亚迪、禾赛科技、速腾聚创等多家国内激光雷达产业巨头均投资、入股纵慧芯光，可见纵慧芯光对国产激光雷达产业链的影响力。 永鑫方舟投资团队认为：光芯片生产工艺复杂、技术壁垒高，纵慧芯光作为国内VCSEL芯片领域的头部企业，长期专注于技术研发与创新，积累了丰富的行业经验，具备较强的技术迭代与产业链整合能力。纵慧芯光团队拥有多年的VCSEL研发工作经验，公司不仅掌握自主可控的外延工艺，还具备高可靠性，高稳定性的量产能力，累计芯片出货已超4亿颗。消费电子领域，纵慧芯光已成功获得多家国内手机品牌的头部供应商资质，出货量行业领先；汽车领域，其车载激光雷达进入头部客户的供应商体系，已完成芯片批量上车；与此同时，其在光通信芯片领域的研发布局，将成为未来3-5年的又一重要增长动力。 
斯坦福大学校友创业，填补国内空白，获9轮超11亿元融资！
纵慧芯光成立于2015年，总部位于江苏常州，由多位美国斯坦福大学博士创立（包括创始人陈晓迟与其同专业师兄弟等6人），团队成员均毕业于斯坦福大学、杜克大学、耶鲁大学、清华大学、北京大学以及中国科学院等国内外顶尖学府，在芯片设计、外延生长技术、晶圆加工以及模组封装领域均拥有丰富的经验。
纵慧芯光联合创始人、亚太区CEO陈晓迟博士，2010年毕业于华中科技大学，同年赴美就读斯坦福大学电子工程系，师从美国工程院院士。在创立纵慧芯光之前，陈晓迟博士及其他联合创始人曾在硅谷顶尖光电公司从事VCSEL的研发和量产工作，积累了深厚的行业经验。
▲纵慧芯光联合创始人、亚太区CEO 陈晓迟
纵慧芯光致力于为客户提供高性能垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和模组、光通信激光芯片、射频外延片产品和服务的光电半导体企业。公司主要研发生产VCSEL芯片、高速光通信芯片、器件及模组等产品，可应用在消费电子、3D感知、虚拟现实、增强现实、自动驾驶、生物医疗传感器和高速光通信等领域。 成立初期，因受制于高技术壁垒和制造工艺，国内高端VCSEL芯片相关技术及生产制造能力主要掌握在国外少数几家企业手中。而纵慧芯光致力于为全球客户提供高性能的VCSEL解决方案，填补了国内在高端光电芯片领域的空白。 目前，纵慧芯光在美国硅谷设有研发中心，同时在上海、深圳、中国台湾、韩国、美国圣何塞、新加坡等地设有分支机构。2024年，公司获得国家级隐形独角兽企业和江苏省工程技术研究中心荣誉称号。 成立至今，纵慧芯光已完成9轮融资，公开融资数值超11亿元，背后的投资机构包括华为哈勃、小米、比亚迪、速腾聚创、禾赛科技、大疆、国开金融、东阳光、永鑫方舟、中慧基金、耀途资本、联动丰业、高榕资本、一村资本等众多知名产业巨头和基本。
据爱企查显示，华为哈勃目前持有纵慧芯光4.04%股权，小米产业基金持有3.09%股权，比亚迪持有1.19%股权，禾赛科技持有1.04%股权，速腾聚创持有1.04%股权。可见，这些产业巨头均通过持股纵慧芯光，来保障激光雷达核心部件的供应链稳定。 创多个第一，投资5.5亿元建成年产5000万颗芯片产线 纵慧芯光在VCSEL激光芯片行业稳居国际第一梯队，其团队、技术和管理获得多家知名投资机构和产业方的肯定。
在消费电子领域，其市场份额已位居国内第一、全球前列；在汽车电子领域，其核心VCSEL产品已实现前装量产，全球市场份额排名第二。
作为行业领先的VCSEL器件供应商，纵慧芯光在产品进度上创造了多项纪录：
2018年，国内第一家在手机上面批量量产的VCSEL厂商；
2020年，全球第一款VCSEL芯片通过车规认证的VCSEL厂商；
2021年，全球第一家在DMS TOF前装量产的VCSEL厂商；
2022年，国内第一家在汽车激光雷达上前装量产的VCSEL厂商；
2023年，国内第一家在汽车电子激光雷达上出货量超过一百万颗的VCSEL厂商；
2024年，全球第一家固态激光雷达2D可寻址VCSEL批量量产的厂商。
2025年6月11日，纵慧芯光FabX历时一年时间，完成了厂房设计、建设及设备选型调试，并攻克了产品外延结构设计、Fab工艺开发等多项技术难题，成功实现项目通线。这不仅标志着纵慧芯光在高端光电子芯片领域的又一重大突破，更意味着中国在高速光通信核心芯片的自主化道路上迈出了关键一步。
据悉，FabX项目总投资达5.5亿元人民币，规划建设一条年产能可达5000万颗芯片的3英寸化合物半导体光芯片生产线，同时配套建设先进的研发中心与测试中心。项目占地面积约2.8万平方米，预计于2025年全面投产，投产后将具备大规模制造砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）激光芯片的能力，为AI数据中心、车载激光雷达、光通信等高速应用场景提供核心支持。
什么是VCSEL芯片？激光雷达、TOF传感器等多种传感器核心芯片部件 VCSEL是Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser的缩写，即垂直腔面发射激光器，特点也在于“垂直”。传统的激光器是EEL，即边发射激光器，这种激光器的光发射方向是平行于芯片表面的，而VCSEL的光发射方向是垂直于芯片表面。 实物图就长下面这样。尺寸是非常小的，单颗的边长尺寸约，最核心的氧化孔尺寸一般是。 VCSEL最早可以追溯至20世纪60年代，在世界上第一台固态激光器诞生之后，就有人提出过制造垂直腔面的二极管激光器。直到20世纪70年代末，由东京工业大学Kenichi Iga（伊贺健一）教授提出了VCSEL的概念，并采用液相法外延技术，以及InGaAs/InP材料制备出了VCSEL器件。 由于具备光束质量好、发散角小、与光纤耦合效率高、寿命高、稳定性好、调制速率高、集成度高等优势，VCSEL最早被应用到短距的光纤通信中。随后，在一些消费电子产品中，由于VCSEL的小体积，又被应用到鼠标、激光打印机等应用中。 随着市场发展，VCSEL在智能手机时代开始应用于手机接近传感器、ToF对焦等应用中，一些短距的测距应用，包括扫地机器人上的TOF传感器、单线激光雷达等，都应用到VCSEL作为光源。 2017年，iPhone X上首次搭载结构光人脸识别模块，其中的点阵激光光源就采用了VCSEL，自此VCSEL受到了业界广泛关注，并催生出多家初创公司。目前，随着VCSEL器件功率密度、性能的提高，在通信、消费电子之外，也开始在自动驾驶激光雷达、医疗健康监测、工业机器人等领域大放异彩。 ▲VCSEL结构 图源：睿熙科技 审核编辑 黄宇